特許
J-GLOBAL ID：200903086495520827

バイポーラトランジスタ及び半導体集積回路装置

発明者：
斎藤 直人

斎藤 直人 について


出願人/特許権者：
セイコーインスツルメンツ株式会社

セイコーインスツルメンツ株式会社 について


代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-146241
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307544
出願日： 1998年05月27日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】【課題】 簡易なプロセスで、ばらつきの少ない安定なバイポ-ラトランジスタを提供する。【解決手段】 一般的に汎用な材料である多結晶シリコン層をマスクとして、不純物導入を行うことにより、バイポ-ラトランジスタの主要な各不純物領域を自己整合的に形成できる。これは、同一基板に絶縁電界効果トランジスタが存在するBiCMOSにおいてもあてはまる。これらのプロセスは従来のプロセスに多くのステップを付加することなく実現できる。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体領域表面に設けられた第1導電型のコレクタ電極領域と第2導電型のベ-ス領域と、前記ベ-ス領域内の表面に設けられた第1導電型のエミッタ領域と第2導電型のベ-ス電極領域からなるバイポ-ラトランジスタにおいて、前記エミッタ領域と、前記ベ-ス電極領域の位置関係が、自己整合的に形成されるように、前記ベ-ス領域表面上に第1の多結晶シリコン層、およびこれに付随するサイドウォ-ルのすくなくとも一つを設けることを特徴とするバイポ-ラトランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/8249 ,  H01L 27/06
FI (2件)：
H01L 29/72 ,  H01L 27/06 321 B
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 特開平4-359520
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-199339   出願人：日本電気株式会社
  • 特開平4-293270
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