特許

J-GLOBAL ID：200903086496004083

半導体ウエハーのチップ分割方法

発明者： 佐藤 孝夫 ,  太田 光一 ,  橋村 昌樹
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 松原 等
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-099896
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284293
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】 分割する半導体チップにおける半導体層の面積を増加させて発光輝度を高めたり、半導体チップの取れ数を増加させたりする。【解決手段】 半導体ウエハー1の半導体層形成側の表面に相対的に溝幅W1の狭い第一分割用溝5をダイシング、エッチング又はブラストにより形成する工程と、半導体ウエハー1の半導体層非形成側の表面であって第一分割用溝5に対応する位置に相対的に溝幅W2の広い第二分割用溝をダイシングにより形成する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

基板上に半導体層が形成されてなる半導体ウエハーを多数の半導体チップに分割する方法において、前記半導体ウエハーの半導体層形成側の表面に相対的に溝幅の狭い第一分割用溝をダイシング、エッチング又はブラストにより形成する工程と、前記半導体ウエハーの半導体層非形成側の表面であって前記第一分割用溝に対応する位置に相対的に溝幅の広い第二分割用溝をダイシングにより形成する工程とを含むことを特徴とする半導体ウエハーのチップ分割方法。

IPC (4件)：

H01L 21/301 ,  B24C 1/00 ,  H01L 21/306 ,  H01L 33/00

FI (7件)：

B24C 1/00 Z ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/78 L ,  H01L 21/306 C ,  H01L 21/78 H ,  H01L 21/78 S ,  H01L 21/78 Q

Fターム (14件)：

5F041AA04 ,  5F041AA41 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA76 ,  5F043AA16 ,  5F043AA30 ,  5F043DD30 ,  5F043FF01 ,  5F043GG01 ,  5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-363993   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体基板の分割方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-292713   出願人：日本ビクター株式会社
• 半導体装置およびその製造方法ならびに半導体装置製造用基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-055272   出願人：ソニー株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-306394   出願人：日亜化学工業株式会社