特許

J-GLOBAL ID：200903086496791840

その場形成マスクの形成方法およびそれを用いた加工法

発明者： 落合 幸徳
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-354491
公開番号（公開出願番号）：特開平5-173316
出願日： 1991年12月20日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】 照射するビーム径で決まる微細なパターンをもつエッチング耐性の高いマスクを形成し、このマスクを用いて加工を行う。【構成】 炭素を含むガスを被加工試料上に供給し、被加工試料上に吸着した原料ガスに電子ビーム、イオンビームを照射して分解もしくは重合することにより炭素を基板上に付着させてマスクを形成する。このようにして、エッチング耐性の高いマスクが容易に形成される。パターンの解像度は照射するビームの大きさで決まるため、微細なパターンが得られる。さらにマスク形成後、外気にさらすことなくプロセスを行うことができるので、酸化や汚染が防止される。

請求項（抜粋）：

真空中で基板表面に炭素を含むガスを吸着させ、次いで所望の箇所にエネルギービームを照射してビーム励起堆積膜を生じさせることによりパターン化されたマスクを形成させる工程を備えたことを特徴とするその場形成マスクの形成方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/302

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-061066
  
• 特開昭62-083749
  
• 特開平2-061066