半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾身祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-244853
公開番号（公開出願番号）：特開平5-062481
出願日： 1991年08月30日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】消費電流を殆ど増加させないで、センスアンプ等の動作高速化を達成する。あるいは同一動作速度でよいときには、消費電流を削減する。【構成】トランジスタQp11、Qp12、Qn11、Qn12からなるカレントミラーアンプと直列に2本のトランジスタQn13、Qn14からなる電流リミッタ回路を接続する。そして、トランジスタQn13を待機時以外の時に導通させ、Qn14をセンスアンプの動作開始時のみ導通させる。

請求項（抜粋）：

カレントミラーアンプとこれと直列に接続された電流リミッタとを有する内部電源降圧回路を備えた半導体記憶装置において、前記電流リミッタは、異なるレベルの電流を供給できるように構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置の内部降圧回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-177030 出願人：シヤープ株式会社
特開平2-059806
特開平2-195596

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