特許

J-GLOBAL ID：200903086520185507

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 佐藤 信司 ,  白田 理一郎 ,  有留 誠一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-356461
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186419
出願日： 1997年12月25日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】誤書き込みマージンを広げることが可能である一方、メモリセルアレイの微細化にも適した不揮発性半導体記憶装置の提供。【解決手段】ゲート16とソース、ドレイン19及び電荷蓄積層14を有する電気的に書換え可能な複数のメモリセルがそのソース、ドレインを隣接するもの同士で共有しながら接続されてなるセルユニットと、前記セルユニットの一方の端部のソースまたはドレインに接続されるビット線18と、前記セルユニットの他方の端部のドレインまたはソースに接続されるソース線と、前記セルユニット中の少なくとも1つのソース、ドレインにコンタクトした引き出し電極20と、前記引き出し電極20と絶縁膜21を介して対向配置された対向電極22とを具備する。

請求項（抜粋）：

ゲートとソースとドレイン及び電荷蓄積層を有する電気的に書換え可能なメモリセルと、前記メモリセルのソース、ドレインの少なくとも一方に電気的に接続した引き出し電極と、前記引き出し電極と実質的に容量結合した対向電極とを具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/04 ,  H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 622 E ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-058389
  
• 特開平4-303964
  
• 不揮発性メモリ及びその動作方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-351268   出願人：シャープ株式会社