特許
J-GLOBAL ID：200903086524597885

パターン形成方法

発明者：
生津 英夫

生津 英夫 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 中村 純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-312714
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138156
出願日： 1998年11月04日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：
【要約】【課題】 現像を行なうときの溶解速度を大きくしかつ現像を均一に行ない、リンスを行なうときのパターン倒れを防止し、しかも乾燥を行なうときの高分子薄膜の膜膨れを防止する。【解決手段】 反応室内の基板1上のレジスト膜2に露光を行ない、溶解助長剤が添加された高圧力超臨界二酸化炭素5にレジスト膜2を曝して現像を行ない、レジスト膜2の露光部分3を除去し、基板1を低圧力超臨界二酸化炭素6に曝してリンスを行ない、この状態で低圧力超臨界二酸化炭素6を反応室から放出し、反応室内の圧力を大気として乾燥を行なう。
請求項（抜粋）：
基板上に高分子薄膜を形成し、上記高分子薄膜上に露光を行なったのち、現像、リンスを行なうことにより上記高分子薄膜にパターンを形成するパターン形成方法において、上記現像を溶解助長剤が添加された高圧力超臨界流体または液化ガスを用いて行ない、上記リンスを低圧超臨界流体を用いて行なうことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/32 501
FI (3件)：
H01L 21/30 569 F ,  G03F 7/32 501 ,  H01L 21/30 569 E
Fターム (7件)：
2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096GA01 ,  2H096GA05 ,  2H096GA17 ,  5F046LA12 ,  5F046LA14
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 特開平1-220828
  • 特開平2-035458
  • レジストパターン形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-146874   出願人：株式会社ソルテック
審査官引用 (3件)
  • 特開平1-220828
  • 特開平2-035458
  • レジストパターン形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-146874   出願人：株式会社ソルテック

前のページに戻る

TOP

BOTTOM