特許
J-GLOBAL ID：200903086528620261

化合物半導体ウェハ及びその製造方法

発明者：
坪倉 光隆

坪倉 光隆 について

, 
南部 克己

南部 克己 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 鎌田 文二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-353070
公開番号（公開出願番号）：特開2000-182960
出願日： 1998年12月11日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：
【要約】【課題】 ゲート耐圧の高い半導体デバイスを作製することができる化合物半導体ウェハを提供すること。【解決手段】 化合物半導体基板の表面にエピタキシャル成長層を形成する前処理工程として、化合物半導体基板にエッチングと酸洗浄を行い、かかる前処理を行った化合物半導体基板を、大気、炭酸ガス、メタンガス等の炭素原子を含む気体中に置いて、エピタキシャル成長前に、化合物半導体基板の表面に炭素原子の蓄積層を形成するようにした。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板の表面に、エピタキシャル成長層を形成した化合物半導体ウェハにおいて、上記化合物半導体基板とエピタキシャル成長層の界面に、炭素原子の蓄積層を設けたことを特徴とする化合物半導体ウェハ。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 29/80 H
Fターム (16件)：
5F045AB09 ,  5F045AB10 ,  5F045AB40 ,  5F045AF04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ06 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15
引用特許：
審査官引用 (1件)

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