特許
J-GLOBAL ID：200903086548413521
集積型光電変換装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-197366
公開番号（公開出願番号）：特開2005-038907
出願日： 2003年07月15日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：
【課題】工程の複雑化、コストアップを招くことなく、pn逆接合部における横方向リークを低減でき、高い効率、高い歩留まりを実現することができる集積型光電変換装置を提供する。【解決手段】透光性基板上に、少なくとも光電変換機能を有する半導体光電変換ユニットを2つ積層した多接合半導体層を含む積層体を、分割溝によって発電領域を区画し、これらを相互に直列接続してなる集積型光電変換装置において、前記多接合半導体層の接合部は、互いに逆の導電性を有し、高ドーピング元素濃度を有する半導体膜同士が接合したpn逆接合部となっており、このpn逆接合部は、非発電領域において、発電領域よりも、ドーピング元素濃度が低くなっている低濃度ドープ領域が存在するような構成とした。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
透光性基板上に、表電極層、光電変換機能を有する半導体光電変換ユニットを2つ以上積層した多接合半導体層、裏電極層を順次積層して形成した積層体を、前記表電極層に設けた表電極分割溝と前記多接合半導体層に設けた半導体層分割溝および前記裏電極層に設けた裏電極分割溝によって複数の発電領域に分割し、かつ隣接する発電領域の表電極層および裏電極層を、前記半導体層分割溝を介して接続導体によって互いに直列接続した集積型光電変換装置において、
前記多接合半導体層に設けた半導体層分割溝は、前記表電極分割溝と前記裏電極分割溝とによって挟まれる非発電領域に位置するように、各層に設けた分割溝は互いに位置をずらして設けられ、
前記半導体光電変換ユニットは、一導電型半導体膜と逆導電型半導体膜とを含むとともに、隣接する双方の半導体光電変換ユニットは互いに逆導電型の半導体膜同士が接したpn逆接合部を形成するように重畳接合してなり、
前記非発電領域内には、pn逆接合部のドーピング元素濃度が、前記発電領域内のpn逆接合部のドーピング元素濃度に比べて低くなった低濃度ドープ領域が設けられていることを特徴とする集積型光電変換装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (22件)：
5F051AA04
, 5F051AA05
, 5F051BA14
, 5F051BA17
, 5F051CA02
, 5F051CA03
, 5F051CA04
, 5F051CA07
, 5F051CA08
, 5F051CA12
, 5F051CA13
, 5F051CA14
, 5F051CB21
, 5F051CB30
, 5F051DA15
, 5F051FA03
, 5F051FA04
, 5F051FA06
, 5F051FA13
, 5F051FA17
, 5F051GA03
, 5F051GA05
