薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタ基板の生成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-066880
公開番号（公開出願番号）：特開2007-243081
出願日： 2006年03月13日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：

【課題】塗布電極パターンが親撥液性パターンに一致しないパターン不良が生じやすく、また塗布プロセスが煩雑で生産性が低いという課題があった。【解決手段】基板と、その基板平面上に複数並べて形成され、複数の楕円が長軸方向に並べて形成された外縁を連続的に接続して形成されたパターン、または1つの楕円の外縁形状で形成されたパターンであるリング状平面パターンで構成されたゲート電極と、そのゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート電極の形状を投影したゲート絶縁膜上の平面領域を除いたゲート絶縁膜上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタ基板。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板平面上に複数並べて形成され、開口部を有するリング状平面パターンで構成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート電極の形状を投影した前記ゲート絶縁膜上の平面領域を除いた前記ゲート絶縁膜上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、を有し、前記ゲート電極のリング状平面パターンは、複数の楕円が長軸方向に並べて形成された外縁を連続的に接続して形成されたパターン、または1つの楕円の外縁形状で形成されたパターンである薄膜トランジスタ基板。

IPC (11件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/288 , H01L 29/41 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/28 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , G02F 1/136 , G09F 9/30

FI (14件)：

H01L29/78 617K , H01L29/78 616T , H01L29/78 616N , H01L29/78 618B , H01L29/78 612D , H01L21/288 Z , H01L29/44 P , H01L29/58 G , H01L21/28 301B , H01L29/28 100A , H01L29/28 310J , H01L29/28 370 , G02F1/1362 , G09F9/30 338

Fターム (66件)：

2H092GA12 , 2H092GA13 , 2H092GA20 , 2H092GA26 , 2H092JA24 , 2H092JA37 , 2H092NA11 , 2H092NA18 , 2H092NA27 , 2H092NA29 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD51 , 4M104DD79 , 4M104FF11 , 4M104GG09 , 4M104GG20 , 5C094AA42 , 5C094AA43 , 5C094AA44 , 5C094BA03 , 5C094CA19 , 5C094GB10 , 5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110BB02 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE24 , 5F110EE25 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF27 , 5F110FF30 , 5F110GG05 , 5F110GG28 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK32 , 5F110HL02 , 5F110HL22 , 5F110HM04 , 5F110HM05 , 5F110NN04 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN36 , 5F110QQ06 , 5F110QQ12 , 5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (1件)

電極基板,薄膜トランジスタ,表示装置、及びその製造方法
公報種別：再公表公報出願番号：JP2004012143 出願人：株式会社日立製作所

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