特許

J-GLOBAL ID：200903086566319400

半導体装置およびその製造方法。

発明者： 長谷川 尚 ,  小山内 潤
出願人/特許権者： セイコーインスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 坂上 正明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-286912
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332725
出願日： 2000年09月21日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：

【要約】【課題】 駆動電流経路が半導体基板垂直方向のある一方向に限されない縦型MOSトランジスタの提供。【解決手段】 縦型MOSトランジスタにおいて、チャネル領域を挟んで上下に電界緩和を目的とする低濃度領域をもち、さらにこの低濃度領域の濃度および厚さが等しい構造にした。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板上に前記第1導電型の半導体基板より低濃度である第1の第1導電型エピタキシャル層と、第2導電型の半導体層と、前記第1の第1導電型エピタキシャル層とは異なる第2の第1導電型エピタキシャル層とが順次積層された半導体基板において、前記第2の第1導電型エピタキシャル層の主表面の所定の領域に形成された第1導電型の高濃度領域と、前記主表面から前記第1導電型高濃度領域と前記第2の第1導電型エピタキシャル層および前記第2導電型半導体層を貫通して前記第1の第1導電型エピタキシャル層に達するトレンチと、前記トレンチの側部および底部に熱酸化により形成された絶縁膜と、前記トレンチ内における前記絶縁膜の内側に埋設された多結晶シリコンからなるゲート電極と、前記第1導電型高濃度領域以外かつ前記ゲート電極以外の一部の領域に、前記第2導電型半導体層に達する深さの第2導電型の不純物拡散層を有することを特徴とする縦型MOSトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 652 B ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 658 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-195064
  
• 特開昭55-133574
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-100971   出願人：株式会社東芝