特許

J-GLOBAL ID：200903086573978657

半導体装置

発明者： 鈴木 隆司 ,  只野 博
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-002840
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197497
出願日： 2004年01月08日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

【課題】 ドリフト領域に繰り返し構造を備えた半導体装置の逆回復特性を向上すること。【解決手段】 ドリフト領域26は、電極(ドレイン電極Dとソース電極S)間方向に伸びるn型のn型コラム22と、電極間方向に伸びるp型のp型コラム24が、電極間方向に直交する面内で交互に繰返されており、トレンチゲート電極30は、ドリフト領域26のp型コラム24の少なくとも一部にゲート絶縁膜31を介して対向してボディ領域32から離反させるとともに、ゲート絶縁膜31を介してドリフト領域26のn型コラム22と対向している。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

1対の電極と、 一方の電極に接する第2導電型の半導体領域と、 その第2導電型半導体領域に接するドリフト領域を備え、 そのドリフト領域は、電極間方向に伸びる第1導電型の部分領域と、前記方向に伸びる第2導電型の部分領域が、前記方向に直交する面内で交互に繰返されており、 前記第2導電型半導体領域と前記第2導電型部分領域の接合界面の少なくとも一部に絶縁膜が形成されており、 少数キャリアの導電型が第2導電型であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L29/78 ,  H01L29/861

FI (3件)：

H01L29/78 652H ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/91 D

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 電力用半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-298311   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (1件)

• 縦形電界効果半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-154415   出願人：株式会社日立製作所