高周波半導体素子用パッケージ

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-328448
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163185
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】電磁波の遮蔽性に優れ、且つ外部回路基板等に対して表面実装が可能な高周波信号の伝送特性に優れた高周波半導体素子用パッケージを提供する。【解決手段】高周波半導体素子6が搭載される誘電体基板2と、基板2表面の素子6の周囲に形成された誘電体枠体3と、枠体3の上部に接合される金属製蓋体4と、基板2の表面に形成され、他端が基板1と枠体3により挟持された第1の信号伝送線路と、基板2内部に配設されたグランド層8と、基板2の底面に形成された第2の信号伝送線路とを具備し、第1の信号伝送線路を電磁結合してなり,第1の信号伝送線路とグランド層間距離H1を、第1の信号伝送線路と枠体3表面のメタライズ層14との距離H2よりも小さく、あるいは誘電体基板2の誘電率を誘電体枠体3の誘電率より大きくする。

請求項（抜粋）：

高周波半導体素子が搭載される誘電体基板と、該誘電体基板表面の前記半導体素子搭載箇所の周囲に形成された誘電体枠体と、該誘電体枠体の上部に接合される金属製蓋体と、前記誘電体基板の表面に形成され、一端が前記半導体素子と電気的に接続され、且つ他端が前記誘電体基板と前記誘電体枠体により挟持されてなる第1の信号伝送線路と、前記誘電体基板内部に配設されたグランド層と、前記誘電体基板の底面に形成され、その一端に外部回路基板との接続部を形成してなる第2の信号伝送線路とを具備し、前記第1の信号伝送線路の他端と、前記第2の信号伝送線路の他端が前記グランド層に設けられたスロット孔を介して電磁結合されてなる高周波半導体素子用パッケージにおいて、前記第1の信号伝送線路と前記グランド層間距離H1が、前記第1の信号伝送線路と前記誘電体枠体表面のメタライズ層との距離H2よりも小さいことを特徴とする高周波半導体素子用パッケージ。

IPC (2件)：

H01L 23/04 , H01L 23/12 301

FI (2件)：

H01L 23/04 F , H01L 23/12 301 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

MMICパッケージ組立
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-056132 出願人：本田技研工業株式会社
特開平4-196566

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