特許

J-GLOBAL ID：200903086626943613

半導体装置の製造方法

発明者： 山下 一郎 ,  浦岡 行治 ,  冬木 隆
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-273911
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086715
出願日： 2001年09月10日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：

【要約】【課題】 設計通りの電荷保持特性を備える半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 図1(b)に示す工程では、スパッタ法により、基板上にドット体104を埋めるSiO2膜を堆積する。スパッタ法によってSiO2膜を堆積する場合、ほぼ常温でSiO2分子の状態で基板上に到達させることができる。従って、反応性の高い高温酸素雰囲気にドット体104が曝されることはないので、ドット体104の表面の酸化が防止される。

請求項（抜粋）：

半導体基板を用意する工程(a)と、上記半導体基板上に、トンネル絶縁膜を形成する工程(b)と、上記トンネル絶縁膜上に微粒子を設置して、上記微粒子により構成されるドット体を形成する工程(c)と、基板上に、上記ドット体が分散して配置された絶縁膜を、スパッタ法によって形成する工程(d)と、を含む半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 21/316 Y ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

Fターム (16件)：

5F058BA11 ,  5F058BB02 ,  5F058BC02 ,  5F058BF12 ,  5F058BJ01 ,  5F083EP17 ,  5F083HA06 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR22 ,  5F101BA54 ,  5F101BB02 ,  5F101BD40 ,  5F101BH01