特許
J-GLOBAL ID:200903086661257455
薄膜EL素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石井 陽一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-048409
公開番号(公開出願番号):特開2003-249374
出願日: 2002年02月25日
公開日(公表日): 2003年09月05日
要約:
【要約】【課題】 従来のセラミツク厚膜誘電体層を用いた薄膜EL素子において問題とされた、コントラスト特性が不良である問題を解決し、コントラスト特性が良好で、高い表示品質が得られる薄膜EL素子を低コストで提供する。【解決手段】 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 を主成分とするリラクサーペロブスカイト化合物を含有する誘電体層13を有する薄膜EL素子であって、前記リラクサーペロブスカイト化合物が、Mn換算で3 mol%以上のMn酸化物を含有している構成の薄膜EL素子とした。
請求項(抜粋):
Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 を主成分とするリラクサーペロブスカイト化合物を含有する誘電体層を有する薄膜EL素子であって、前記リラクサーペロブスカイト化合物が、Mn換算で3 mol%以上のMn酸化物を含有している薄膜EL素子。
IPC (2件):
FI (2件):
H05B 33/22 Z
, H05B 33/10
Fターム (9件):
3K007AB17
, 3K007AB18
, 3K007CB01
, 3K007DA02
, 3K007DA05
, 3K007EA02
, 3K007EA04
, 3K007EC00
, 3K007FA01
引用特許:
審査官引用 (6件)
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特開平2-044691
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特開昭62-264596
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特開昭63-228593
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