特許
J-GLOBAL ID：200903086661520180
位置合わせ精度検出方法および半導体装置並びにその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-257285
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017789
出願日： 1995年09月11日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：
【要約】【課題】 パターニングの際の位置ずれ量を、光学的手法を用いることなく、電気的に検出することにより検出精度を向上させることができるようにする。【解決手段】 実回路と共に評価回路部100が設けられる。評価回路部100では、第1の評価用導電性層(下層配線層)10上に、評価用層間絶縁膜20を介して第2の評価用導電性層(上層配線層)30が形成される。第2の評価用導電性層(上層配線層)30には検出部31が設けられている。検出部31は、評価用層間絶縁膜20に設けられた三角形状の評価用開口部21において第1の評価用導電性層10と接触している。実回路部におけるパターンのずれ量に応じて、検出部31と第1の評価用導電性層10との接触部位置および接触面積Sn が変化し、それに応じて接触部の電気抵抗値Rn が変化する。
請求項（抜粋）：
第1の導電性層上に形成された層間絶縁膜のパターンに対する前記層間絶縁膜上に形成された第2の導電性層の一方向のパターンの合わせずれ量を検出するための位置合わせ精度検出方法であって、前記第1の導電性層、層間絶縁膜および第2の導電性層と同一のレジストパターンにより第1の評価用導電性層、評価用層間絶縁膜および第2の評価用導電性層をそれぞれ形成すると共に、前記評価用層間絶縁膜に評価用開口部を形成し、この評価用開口部を介して第2の評価用導電性層と第1の評価用導電性層とを接触させ、この接触部の電気抵抗値の変化を測定することにより、層間絶縁膜のパターンに対する第2の導電性層のパターンの合わせずれ量を検出してなることを特徴とする位置合わせ精度検出方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/66
H01L 21/88 B
, H01L 21/66 Y
, H01L 21/88 S
