特許
J-GLOBAL ID：200903086675927135
多値記憶式不揮発性半導体メモリ装置とそのデータ読出、プログラム及び検証方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-328649
公開番号（公開出願番号）：特開平9-180471
出願日： 1996年12月09日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 より集積性に優れる多値記憶式不揮発性半導体メモリ装置の回路構成を提供する。【解決手段】 多値記憶式のフローティングゲート形のメモリセル107を多数有する不揮発性半導体メモリ装置において、ビットラインごとにそれぞれ設けられて対応するメモリセルの読出、プログラム及び検証を遂行する回路部100と、複数のビットラインにおけるメモリセルのコントロールゲートへプログラムコントロール論理回路109の制御に応じて複数の基準電圧を供給する1つの基準電圧ドライバ部118と、を備える。単位セルリード、プログラム、プログラム検証のための回路部100のみが各セル別に独立的に必要とされるだけであり、セルのコントロールゲートにリード電圧やプログラム電圧を提供する多値基準電圧ドライバ部118は1つを共通に使用可能である。
請求項（抜粋）：
多値記憶式のフローティングゲート形のメモリセルを多数有する不揮発性半導体メモリ装置において、ビットラインごとにそれぞれ設けられて対応するメモリセルの読出、プログラム及び検証を遂行する回路部と、複数のビットラインにおけるメモリセルのコントロールゲートへプログラムコントロール論理回路の制御に応じて複数の基準電圧を供給する1つの基準電圧ドライバ部と、を備えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
引用特許：
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