特許
J-GLOBAL ID:200903086680758279

炭素質材料及びリチウム二次電池及び炭素質材料の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 渡邊 隆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-058398
公開番号(公開出願番号):特開2002-255530
出願日: 2001年03月02日
公開日(公表日): 2002年09月11日
要約:
【要約】【課題】 充放電容量が高いと同時にサイクル特性に優れた炭素質材料を提供する。【解決手段】 X線広角回折による(002)面の面間隔d002が0.337nm未満である黒鉛粒子2の周りに、珪素及び炭素を少なくとも含有するとともに黒鉛粒子2より粒径が小さな複合粒子3が分散して配置され、かつ黒鉛粒子2及び複合粒子3が0.37nm以上の面間隔d002を有する非晶質炭素膜4によって被覆されてなり、複合粒子3は、結晶質珪素からなるSi微粒子の周りに導電性炭素材が配置されるとともに前記Si微粒子及び前記導電性炭素材が硬質炭素膜により被覆されてなり、前記Si微粒子が、結晶質Si相中にSiO2相、SiC相が析出したものであることを特徴とする炭素質材料1を採用する。
請求項(抜粋):
X線広角回折による(002)面の面間隔d002が0.337nm未満である黒鉛粒子の周りに、珪素及び炭素を少なくとも含有するとともに前記黒鉛粒子より粒径が小さな複合粒子が分散して配置され、かつ前記黒鉛粒子及び前記複合粒子が0.37nm以上の面間隔d002を有する非晶質炭素膜によって被覆されてなり、前記複合粒子は、結晶質珪素からなるSi微粒子の周りに導電性炭素材が配置されるとともに前記Si微粒子及び前記導電性炭素材が硬質炭素膜により被覆されてなり、前記Si微粒子は、結晶質Si相中にSiO2相及びSiC相が析出したものであることを特徴とする炭素質材料。
IPC (3件):
C01B 31/04 101 ,  H01M 4/58 ,  H01M 10/40
FI (3件):
C01B 31/04 101 B ,  H01M 4/58 ,  H01M 10/40 Z
Fターム (61件):
4G046EA03 ,  4G046EA05 ,  4G046EB06 ,  4G046EC02 ,  4G046EC03 ,  4G046EC06 ,  5H029AJ03 ,  5H029AJ05 ,  5H029AK02 ,  5H029AK03 ,  5H029AK05 ,  5H029AK11 ,  5H029AK15 ,  5H029AL01 ,  5H029AL02 ,  5H029AL07 ,  5H029AL08 ,  5H029AL11 ,  5H029AM02 ,  5H029AM03 ,  5H029AM04 ,  5H029AM05 ,  5H029AM07 ,  5H029CJ02 ,  5H029CJ22 ,  5H029DJ16 ,  5H029DJ17 ,  5H029DJ18 ,  5H029HJ00 ,  5H029HJ01 ,  5H029HJ04 ,  5H029HJ05 ,  5H029HJ13 ,  5H029HJ14 ,  5H029HJ20 ,  5H050AA07 ,  5H050AA08 ,  5H050CA02 ,  5H050CA07 ,  5H050CA08 ,  5H050CA09 ,  5H050CA11 ,  5H050CA17 ,  5H050CB01 ,  5H050CB02 ,  5H050CB08 ,  5H050CB09 ,  5H050CB11 ,  5H050FA17 ,  5H050FA18 ,  5H050FA19 ,  5H050FA20 ,  5H050GA02 ,  5H050GA22 ,  5H050HA00 ,  5H050HA01 ,  5H050HA04 ,  5H050HA05 ,  5H050HA13 ,  5H050HA14 ,  5H050HA17
引用特許:
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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