特許

J-GLOBAL ID：200903086709867137

炭化珪素半導体素子

発明者： 川瀬 大助 ,  大野 俊之 ,  小園 裕三 ,  八尾 勉
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-200434
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064800
出願日： 1994年08月25日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】低コンタクト抵抗,炭化珪素半導体のオーム性電極を形成し、高電圧,大電流および高温において信頼性の高い炭化珪素半導体素子を得る。【構成】炭化珪素単結晶上に金属珪化物,金属炭化物及び金属,珪素,炭素からなる複合化合物の複数種類を含む層を積層してオーム性電極とした電極構造を持つ炭化珪素半導体素子。また、電極構造上に任意の金属層を積層してオーム性電極とした電極構造を持つ炭化珪素半導体素子。

請求項（抜粋）：

炭化珪素単結晶に金属珪化物,金属炭化物及び金属,珪素,炭素からなる複合化合物の複数種類を含む層を積層してオーム性電極としたことを特徴とする炭化珪素半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 29/43 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/28 301