特許
J-GLOBAL ID：200903086717913903
絶縁膜の評価方法及び評価装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-063534
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332596
出願日： 2001年03月07日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：
【要約】【課題】 基板上に形成された極薄の絶縁膜の特性を確実に評価しうる評価装置及び評価方法を提供する。【解決手段】 全体が導体層として機能するシリコン基板4などの上に設けられた熱酸化膜からなるゲート絶縁膜3などの絶縁膜の特性又は寸法を評価する方法である。配線5に接続される導体バンプ2が配列されたバンプ支持部材1(測定用部材)を、シリコン基板4(導体層)上のゲート絶縁膜3(絶縁膜)の上に設置する。そして、加圧機構6により、導体バンプ2をある押圧力でゲート絶縁膜3に押し付ける。そして、導体バンプ2とシリコン基板4との間に電圧(電気的ストレス)を印加することにより、I-V特性,ゲートリーク電流,TDDBなどの特性や、厚みなどの寸法を評価する。
請求項（抜粋）：
基板内の導体層の上に設けられた絶縁膜の特性又は寸法を評価する方法であって、複数の導体バンプと該導体バンプに接続される配線とを有する測定用部材を、上記導体バンプと上記絶縁膜とを相対向させて上記基板の上に設置するステップ(a)と、上記導体バンプと上記絶縁膜とを接触させた後ある押圧力で相対的に押し付けるステップ(b)と、上記導体バンプと上記導体層との間に電気的ストレスを印加することにより、上記絶縁膜の特性又は寸法を評価するステップ(c)とを含む絶縁膜の評価方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/66 Q
, H01L 21/316 Z
