特許

J-GLOBAL ID：200903086779827256

混晶半導体単結晶の成長方法

発明者： 西嶋 由人 ,  中嶋 一雄 ,  石川 浩
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-345282
公開番号（公開出願番号）：特開2000-169300
出願日： 1998年12月04日
公開日（公表日）： 2000年06月20日
要約：

【要約】【課題】 混晶半導体単結晶の成長方法に関し、低温度勾配下で成長させた混晶種結晶上に、急温度勾配下のゾーン成長により単結晶のゾーン結晶を再現性良く成長させる。【解決手段】 結晶成長用容器1内に、上から順に混晶種結晶2、メルト用原料、及び、結晶成長用ソース4を充填するとともに、メルト用原料として、混晶種結晶2を成長させた時に付着する残存メルトと異なったメルト用原料を用いてソーン成長により混晶半導体単結晶を成長させる。

請求項（抜粋）：

結晶成長用容器内で混晶種結晶上に混晶半導体単結晶をゾーン成長させる混晶半導体単結晶の成長方法において、前記結晶成長用容器内に、上から順に混晶種結晶、メルト用原料、及び、結晶成長用ソースを充填するとともに、前記メルト用原料として、前記混晶種結晶を成長させた時に付着する残存メルトと異なったメルト用原料を用いることを特徴とする混晶半導体単結晶の成長方法。

Fターム (5件)：

4G077AA02 ,  4G077BE47 ,  4G077CE02 ,  4G077EC04 ,  4G077EC08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-081918
  
• 特開平1-278487
  
• 特開平4-114991
  
• 結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-030917   出願人：富士通株式会社