特許
J-GLOBAL ID：200903086798204804

シリコンの製造方法

発明者：
福中 康博

福中 康博 について

, 
野平 俊之

野平 俊之 について

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安田 幸司

安田 幸司 について

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萩原 理加

萩原 理加 について


出願人/特許権者：
国立大学法人京都大学

国立大学法人京都大学 について


代理人 (2件)： 朝日奈 宗太 ,  秋山 文男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-147139
公開番号（公開出願番号）：特開2006-321688
出願日： 2005年05月19日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：
【課題】本発明は、陰極にシリコンを用いた二酸化ケイ素の電解還元により、陰極由来の不純物の混入がないシリコンの製造方法を提供する。【解決手段】シリコンを主とする材料から構成される陰極を用いて溶融塩中で電解還元するシリコンの製造方法であって、該陰極にケイ素酸化物を接触させシリコンを製造する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
シリコンを主とする材料から構成される陰極を用いて溶融塩中で電解還元するシリコンの製造方法であって、該陰極にケイ素酸化物を接触させることを特徴とするシリコンの製造方法。
IPC (2件)：
C01B 33/023 ,  C25B 1/00
FI (2件)：
C01B33/023 ,  C25B1/00 Z
Fターム (17件)：
4G072AA01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH14 ,  4G072HH15 ,  4G072HH16 ,  4G072MM38 ,  4G072RR04 ,  4G072RR28 ,  4G072UU02 ,  4K021AA09 ,  4K021BA01 ,  4K021BA17 ,  4K021BB03 ,  4K021BB05 ,  4K021DA10 ,  4K021DA13 ,  4K021DC15
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (1件)
引用文献：
出願人引用 (1件)
  • 溶融CaCl2中におけるSiO2の電解還元
審査官引用 (1件)
  • 溶融CaCl2中におけるSiO2の電解還元

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