特許
J-GLOBAL ID:200903086816634145
素子複合搭載回路基板
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大塚 学
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-273679
公開番号(公開出願番号):特開平9-093077
出願日: 1995年09月28日
公開日(公表日): 1997年04月04日
要約:
【要約】【課題】チップ状の弾性表面波素子と他の薄膜回路素子を一つの基板上に搭載して同時に封止できるようにする。【解決手段】シリコンなどの基板1上に絶縁層2を形成し、その上に薄膜抵抗パターン4,薄膜コンデンサパターン5,インダクタパターン6を形成する。基板1の上に、チップ状の弾性表面波素子7を、そのくし形電極7aの面を上にして、接着剤12によって固定する。くし形電極7aの上部に中空部9が形成されるように薄膜カバー10で覆い、全体を樹脂8によって封止する。【効果】電子部品の配線パターンの微細化と高密度実装ができる。
請求項(抜粋):
基板と、該基板上に形成された薄膜抵抗パターンと薄膜コンデンサパターン及び薄膜インダクタパターンのうち少なくとも1つの薄膜回路素子と、圧電基板上にくし形電極とボンディングパッドと前記くし形電極の表面波励振面上に中空部を形成する薄膜カバーとが設けられた主面を上にして前記基板の上に載置接合されたチップ状弾性表面波素子と、該チップ状弾性表面波素子の前記ボンディングパッドと前記薄膜回路素子の回路電極とを接続したワイヤと、前記薄膜回路素子とチップ状弾性表面波素子とワイヤとを覆った樹脂とが備えられた素子複合搭載回路基板。
IPC (6件):
H03H 9/25
, H01L 23/12
, H01L 29/41
, H01L 41/08
, H01L 49/02
, H03H 9/145
FI (6件):
H03H 9/25 A
, H01L 49/02
, H03H 9/145 D
, H01L 23/12 B
, H01L 29/44 F
, H01L 41/08 D
引用特許:
審査官引用 (3件)
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高周波回路素子およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-072279
出願人:新日本製鐵株式会社
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特開平1-174108
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特開昭58-136126
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