特許
J-GLOBAL ID：200903086844374337

光メモリ素子

発明者：
杉山 芳弘

杉山 芳弘 について

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今村 健一

今村 健一 について

, 
中田 義昭

中田 義昭 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-339595
公開番号（公開出願番号）：特開平9-179237
出願日： 1995年12月26日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】量子ドットを用いる光メモリ素子に関し、メモリ情報の喪失を防止すること。【解決手段】第一導電型不純物を含む化合物半導体基板1上に形成された第一の化合物半導体層3と、前記第一の化合物半導体層3の上に形成された第一の量子ドット4dと、前記第一の量子ドット4dを覆う第二の化合物半導体層5と、前記第一の化合物半導体層3及び前記第二の化合物半導体層5のうち前記第一の量子ドット4dに接しない側で且つキャリアの移動方向と反対側に存在するとともに、前記化合物半導体基板1よりもエネルギバンドギャップが広い第一のエネルギバリア層6とを含む。
請求項（抜粋）：
第一導電型不純物を含む化合物半導体基板上に形成された第一の化合物半導体層と、前記第一の化合物半導体層の上に形成された第一の量子ドットと、前記第一の量子ドットを覆う第二の化合物半導体層と、前記第一の化合物半導体層及び前記第二の化合物半導体層のうち前記第一の量子ドットに接しない側であってキャリアの移動方向と反対側に存在するとともに、前記化合物半導体基板よりもエネルギバンドギャップが広い第一のエネルギバリア層とを有することを特徴とする光メモリ素子。
IPC (2件)：
G03C 1/72 ,  G11C 11/42
FI (2件)：
G03C 1/72 ,  G11C 11/42 D
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (1件)

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