特許
J-GLOBAL ID：200903086863974485
炭化珪素半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-109223
公開番号（公開出願番号）：特開2008-270412
出願日： 2007年04月18日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：
【課題】終端構造を構成する部分のうち最も半導体素子側の部分の内側の端部において、逆方向電圧印加時の電界集中を緩和できるようにし、耐圧低下を防止できるようにする。【解決手段】p型リサーフ層6の内周側において、p型リサーフ層6から離間して配置されるp型電界緩和層8を形成する。これにより、逆方向電圧印加時に、電界が複数のp型電界緩和層8の下方にまで伸びるようにできる。したがって、p型リサーフ層6やp型ガードリング層7を形成する不純物として拡散係数の低いAl等が用いられていても、終端構造を構成する部分のうち最もセル部側に位置しているp型リサーフ層6の内側の端部において電界集中を緩和でき、耐圧低下を防止することが可能となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主表面(1a)および裏面(1b)を有し、第1導電型の炭化珪素からなる基板(1)と、
前記基板(1)の前記主表面(1a)上に形成され、前記基板(1)よりも低不純物濃度とされた第1導電型の炭化珪素からなるドリフト層(2)と、
前記ドリフト層(2)におけるセル部に形成された半導体素子(10)と、
前記セル部の外周領域に形成され、前記ドリフト層(2)の表層部において、前記セル部を囲むように形成された第2導電型のリサーフ層(6)を含む終端構造と、
前記リサーフ層(6)の内側となる前記セル部側に形成され、前記リサーフ層(6)から離間して配置された第2導電型の環状の電界緩和層(8)と、を備えていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L29/48 E
, H01L29/48 D
, H01L29/48 F
4M104AA03
, 4M104BB05
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104BB18
, 4M104CC03
, 4M104FF32
, 4M104FF35
, 4M104GG03
, 4M104HH18
