炭化珪素ショットキーバリアダイオードの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：高橋省吾 , 稲葉忠彦 , 村上加奈子 , 中鶴一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-131071
公開番号（公開出願番号）：特開2004-335815
出願日： 2003年05月09日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：

【課題】ショットキー電極のリーク電流が小さい良好な素子特性のSiCショットキーバリアダイオードを容易に得る。【解決手段】n型炭化珪素基板1、n型炭化珪素エピタキシャル成長層2、ショットキー電極5、p型終端構造3と、を備えたSiCショットキーバリアダイオードの製造方法において、上記終端構造3の形成領域にp型不純物をイオン注入するイオン注入工程と、ショットキー電極5の形成領域上にレーザ光の透過を防止する保護膜4を設け、ウエハ全面にレーザ光を照射することによりイオン注入されたp型不純物を活性化させるレーザ活性化アニール工程と、を含むようにした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

n型炭化珪素基板と、前記n型炭化珪素基板上に形成されたn型炭化珪素エピタキシャル成長層と、前記n型炭化珪素エピタキシャル成長層上に設けられたショットキー電極と、前記ショットキー電極の周縁部の前記n型炭化珪素エピタキシャル成長層中に設けられたp型終端構造と、を備えた炭化珪素ショットキーバリアダイオードの製造方法であって、前記終端構造の形成領域にp型不純物をイオン注入するイオン注入工程と、前記ショットキー電極の形成領域上にレーザ光の透過を防止する保護膜を設け、ウエハ全面にレーザ光を照射することにより前記イオン注入されたp型不純物を活性化させるレーザ活性化アニール工程と、を含んでなる炭化珪素ショットキーバリアダイオードの製造方法。

IPC (3件)：

H01L29/47 , H01L21/265 , H01L29/872

FI (3件)：

H01L29/48 P , H01L21/265 602C , H01L29/48 D

Fターム (7件)：

4M104AA03 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104CC03 , 4M104DD91 , 4M104FF35 , 4M104GG03

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-157375 出願人：松下電器産業株式会社
SiCショットキーダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-260416 出願人：株式会社日立製作所, 関西電力株式会社
特開平4-329633

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