特許

J-GLOBAL ID：200903086869128187

X線マスク製造の間におけるパターン書込み方法

発明者： ケビン・ディー・カミングス ,  ウィリアム・エイ・ジョンソン ,  ダニエル・エル・レアード
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 池内 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-152971
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070074
出願日： 1997年05月27日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】 X線マスクにより少ないひずみでパターン形成を行う。【解決手段】 X線マスク製造のためのパターン書込み方法はX線吸収層13,14の上に一様な膜層12を形成し、かつX線吸収材料の層13,14の上にエッチングマスク15を形成する段階を含みこの段階は放射に敏感な材料の層20を提供する工程を含む。前記材料の層20は放射への露光によって変えられる内部ストレスを有する。前記材料20は関連する領域25,30,31,32,33において(例えばらせん形で)露光され、この場合前記材料の層20内の内部ストレスおよび関連する領域25,30,31,32,33における変更された内部ストレスが実質的に相殺してX線マスク15におけるひずみを低減する。

請求項（抜粋）：

膜構造の製造のためのパターン書込み方法であって、膜構造(12)を形成する段階、そして前記膜構造(12)上に材料システム(13,14,20)を形成する段階であって、内部ストレスを有する材料の層(20)を提供する段階であって、該内部ストレスは前記材料を放射に露光することによって変えられて露光された領域に変更された内部ストレスを生成するもの、および前記材料の層(20)を放射に露光してパターンを規定する段階であって、該露光は前記材料の層(20)内の内部ストレスおよび関連する領域(25,30,31,32,33)における変更された内部ストレスが実質的に相殺して前記材料システム(13,14,20)におけるおよび前記膜構造(12)におけるひずみを低減するように前記関連する領域(25,30,31,32,33)において行われるもの、を含む前記膜構造(12)上に材料システム(13,14,20)を形成する段階、を具備することを特徴とする膜構造の製造のためのパターン書込み方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16

FI (3件)：

H01L 21/30 531 M ,  G03F 1/16 A ,  G03F 1/16 E

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置製造用原版レチクルの製造方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-146217   出願人：ソニー株式会社