特許
J-GLOBAL ID：200903086879548940
薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-338044
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201749
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 デバイスの高密度化、高信頼化に対応し得る窒化膜の形成前処理方法および薄膜形成方法を提供する。【構成】 半導体基板5を収容する反応室1および反応容器2内部の堆積物に、NF3 を含むガス系に高周波電源8からの電力を印加して生じるプラズマ中のラジカルによりエッチングさせ、NH3 を含むガス系に高周波電源8を印加してプラズマを発生させ残留するフッ素成分を除去する。続いて、SiH4 /NH3 /N2 系の原料ガスを使用することにより、プラズマCVD法にて窒化膜を形成し、N2 Oを含むガス系に高周波電源8を印加して発生するプラズマ中のN2 Oからの活性種を窒化膜に照射し、その表面をスパッタリングして滑らかにする。また、N2 Oおよびそのラジカルは、半導体およびその載置された支持台に蓄積された電荷を中和する働きがあるのでダメージがなく、トランジスタ特性の向上に寄与する。
請求項（抜粋）：
基板を収容する反応容器内において、原料ガスに高い周波数を有する第1の電力を印加し、発生するプラズマ中の反応生成物を基板に堆積し薄膜を形成するステップと、窒素酸化物を含むガスに高い周波数を有する第2の電力を印加し、発生するプラズマ中の活性種を前記基板および薄膜に照射するステップとを備える薄膜形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/50
, H01L 21/31
