酸化物超電導薄膜の製造方法および製造装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-231378
公開番号（公開出願番号）：特開平11-079893
出願日： 1997年08月27日
公開日（公表日）： 1999年03月23日
要約：

【要約】【課題】 1インチ径以上の大面積単結晶基板においても均一に高品質な酸化物超電導薄膜を基板両面に形成することを可能とする、酸化物超電導薄膜の製造方法および製造装置を提供する。【解決手段】薄膜成長法により単結晶基板上に酸化物超電導薄膜を形成する方法および装置であって、単結晶基板3を熱源21からの光を用いて加熱する際、熱源21から放出された光のうち、単結晶基板3に吸収されずに透過した光を、マスク1を用いて反射し、かつ、マスク1に吸収された光のエネルギを輻射させることにより、再度単結晶基板3の加熱に寄与させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

薄膜成長法により単結晶基板上に酸化物超電導薄膜を形成する方法であって、前記単結晶基板を熱源からの光を用いて加熱する際、前記熱源から放出された光のうち、前記単結晶基板に吸収されずに透過した光を、マスクを用いて反射し、かつ、マスクに吸収された光エネルギを輻射させることにより、再度前記単結晶基板の加熱に寄与させることを特徴とする、酸化物超電導薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

C30B 29/22 501 , C01G 1/00 , C01G 3/00 ZAA , H01B 13/00 561 , H01L 39/24 ZAA , H01L 39/24

FI (6件)：

C30B 29/22 501 C , C01G 1/00 S , C01G 3/00 ZAA , H01B 13/00 561 Z , H01L 39/24 ZAA B , H01L 39/24 ZAA K

引用特許：

審査官引用 (4件)

レーザー蒸着法による薄膜製造方法及び薄膜製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-074424 出願人：住友電気工業株式会社
特表昭61-502433
特開昭61-215290

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