特許

J-GLOBAL ID：200903086912758327

絶縁性樹脂ペースト及び半導体装置

発明者： 富吉 和俊 ,  井野 茂樹 ,  土橋 和夫 ,  塩原 利夫
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-194868
公開番号（公開出願番号）：特開平8-041294
出願日： 1994年07月27日
公開日（公表日）： 1996年02月13日
要約：

【要約】【目的】 耐ハンダクラック性に優れ、信頼性、熱放散性に優れた半導体装置を得る。【構成】 エポキシ樹脂、硬化剤及び無機質充填剤を含有し、硬化物の50°Cから100°Cまでの線膨張係数が2×10-5/°C以下、熱伝導率が35×10-4cal/cm・sec・°C以上である絶縁性樹脂ペーストを用いてリードフレーム上にマウントした半導体素子を、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機質充填剤を含有し、無機質充填剤として(1)平均粒径が5μm以上のアルミナ粒子を充填剤全体の60〜100重量%、及び(2)平均粒径が10μm以下のシリカ粒子もしくは平均粒径が70μm以上の球状結晶シリカ粒子又はこれらの混合シリカ粒子を充填剤全体の0〜40重量%含有し、かつ上記(1)、(2)から構成される無機質充填剤の粒径1μmから最大粒径までのロジン-ラムラー式のn値が0.6〜0.93、回帰直線の相関係数が0.99以下の粒度分布を有するものを使用した半導体封止用エポキシ樹脂組成物で封止する。

請求項（抜粋）：

エポキシ樹脂、硬化剤及び無機質充填剤を含有し、硬化物の50°Cから100°Cまでの線膨張係数が2×10-5/°C以下、熱伝導率が35×10-4cal/cm・sec・°C以上であることを特徴とする半導体素子のリードフレームへのマウント用絶縁性樹脂ペースト。

IPC (5件)：

C08L 63/00 NLD ,  C08K 7/18 ,  H01L 21/52 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-344836   出願人：信越化学工業株式会社