特許

J-GLOBAL ID：200903086914373937

プラズマ処理装置

発明者： 今福 光祐 ,  遠藤 昇佐 ,  田原 一弘 ,  土屋 浩 ,  友安 昌幸 ,  内藤 幸男 ,  永関 一也 ,  野中 龍 ,  広瀬 圭三 ,  深澤 義男 ,  輿石 公 ,  小林 功
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 金本 哲男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-077749
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308080
出願日： 1995年04月20日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】 プラズマを処理室内に拡散させず,電極間空間内に閉じこめて高いプラズマ密度を実現させる。【解決手段】 処理室内に高周波電力によってプラズマを発生させ,処理室内のサセプタ上の被処理体に対して処理を施す如く構成されたプラズマ処理装置において,前記サセプタの近傍周囲に当該サセプタと同心円状に配置された環状の第1の磁場形成手段を設けると共に,前記第1の磁場形成手段と空隙を介して第2の磁場形成手段として永久磁石72を対向配置し,永久磁石72に磁性体75を設ける。

請求項（抜粋）：

処理室内に高周波電力によってプラズマを発生させ,処理室内のサセプタ上の被処理体に対して処理を施す如く構成されたプラズマ処理装置において,前記サセプタの近傍周囲に当該サセプタと同心円状に配置された環状の第1の磁場形成手段を設けると共に,前記第1の磁場形成手段と空隙を介して第2の磁場形成手段を対向配置し,前記磁場形成手段に磁性体を設けたことを特徴とする,プラズマ処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (2件)：

H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-001172   出願人：日本電気株式会社
• 特開平3-004528
  
• 特開昭62-069621