特許
J-GLOBAL ID：200903086929496008
層間絶縁膜の形成方法およびこれを用いた半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-225280
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067906
出願日： 1997年08月21日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 ベンゾシクロブテンポリマ等、低誘電率ではあるが熱伝導率の小さな絶縁体膜を層間絶縁膜に用いた高集積度半導体装置における、熱放散経路を確保する。【解決手段】 密な配線間隔領域6では配線群3を被覆しうる厚さに低誘電率絶縁体膜4を形成し、疎な配線間隔領域7では低誘電率絶縁体膜4をこれより薄く形成する。疎な配線間隔領域7では低誘電率絶縁体膜4を除去し、ここに高熱伝導率絶縁体膜を形成してもよい。【効果】 配線間容量低減の重要度が比較的小さい疎な配線間隔領域の低誘電率絶縁体膜の膜厚を減じたり、この部分に高熱伝導率絶縁体膜を形成することにより、良好な熱放散経路を確保することができる。
請求項（抜粋）：
疎な配線間隔領域と、密な配線間隔領域とが混在するラインアンドスペース状の配線群を有し、前記配線群を被覆する低誘電率絶縁体膜を含む層間絶縁膜を有する半導体装置であって、前記疎な配線間隔領域上の前記低誘電率絶縁体膜の膜厚は、前記密な配線間隔領域上の前記低誘電率絶縁体膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/316
H01L 21/90 M
, H01L 21/316 M
