特許
J-GLOBAL ID：200903001227014042
多層配線構造およびその形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-109291
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303298
出願日： 1997年04月25日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】SiOF膜を層間絶縁膜とした配線において、層間絶縁膜の誘電率が低くなり平坦性に優れ且つ信頼性の高い多層配線構造の形成を容易にする。【解決手段】半導体基板上に形成された複数の配線層の間を埋めるフッ素を含有する酸化膜すなわちSiOF膜が形成され、このSiOF膜上にフッ素を含まない酸化膜が中間絶縁膜として形成される。そして、この中間絶縁膜上にSOG膜が形成され、上記SOG膜および中間絶縁膜表面がエッチバックされてSiOF膜上が平坦化される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された複数の配線層と、前記複数の配線層の間を埋めるフッ素を含有する酸化膜と、前記フッ素を含有する酸化膜上に形成され表面が平坦化されたフッ素を含まない酸化膜とを有することを特徴とする多層配線構造。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/316
H01L 21/90 M
, H01L 21/316 X
, H01L 21/316 G
