特許
J-GLOBAL ID：200903086934699022
半導体装置のダブルコンタクト形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-348154
公開番号（公開出願番号）：特開平11-243067
出願日： 1998年12月08日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：
【要約】【課題】 接触面積を大きくし、且つコンタクト関連欠陥を低減し得る半導体装置のダブルコンタクト形成方法を提供する。【解決手段】 半導体装置のダブルコンタクト形成方法において、ダブルコンタクト用に隣接した2つのコンタクトホールa、cの間に、これらコンタクトホールをつなぐブリッジホールbを開けるようにしたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体装置のダブルコンタクト形成方法において、ダブルコンタクト用に隣接した2つのコンタクトホールの間に、これらコンタクトホールをつなぐブリッジホールを開けるようにしたことを特徴とするダブルコンタクト形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28
, H01L 21/027
, H01L 21/768
H01L 21/28 L
, H01L 21/30 514 C
, H01L 21/90 A
