特許
J-GLOBAL ID：200903086941830673

ドライエッチング方法

発明者：
伊澤 光貴

伊澤 光貴 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-101473
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294544
出願日： 1999年04月08日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：
【要約】【課題】 TiNのエッチングにCl2/BCl3/CHF3のようなガスが用いた場合には、アッシングによるレジストの剥離性が悪い。【解決手段】 SiO2上にあるTiNを含む積層膜をレジストをマスクとしてエッチングする方法において、積層膜エッチング後のオーバーエッチング工程またはエッチング後処理にSF6を50%以上含むガスを用いることにより、アッシングによるレジストの剥離性を向上させる。
請求項（抜粋）：
SiO2上に設けられたTiNを含む積層膜をレジストをマスクとしてドライエッチングする方法において、積層膜エッチング後のオーバーエッチング工程またはエッチング後処理に、SF6を50%以上含むガスを用いることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
H01L 21/302 N ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 572 A
Fターム (24件)：
2H096AA25 ,  2H096HA14 ,  2H096HA30 ,  5F004AA00 ,  5F004BD02 ,  5F004CA01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB09 ,  5F004DB10 ,  5F004DB12 ,  5F004DB13 ,  5F004EA28 ,  5F004EB02 ,  5F046NA19
引用特許：
審査官引用 (4件)
  • 特開平3-239323
  • 特開平2-174122
  • プラズマエッチング方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-144900   出願人：株式会社日立製作所
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM