特許
J-GLOBAL ID：200903086954721768
ハロゲン化スズナフタロシアニン誘導体の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-293402
公開番号（公開出願番号）：特開2000-119276
出願日： 1998年10月15日
公開日（公表日）： 2000年04月25日
要約：
【要約】【課題】 ハロゲン化スズナフタロシアニン誘導体を安価に製造する。【解決手段】 無水ナフタル酸誘導体及び/又はナフタル酸誘導体と尿素及びハロゲン化スズとを触媒の非存在下で反応させて、対応するハロゲン化スズナフタロシアニン誘導体を製造する方法において、ジメチルイミダゾリジノン等のアミド系誘導体を溶媒として用いる。
請求項（抜粋）：
下記一般式(I)【化1】(式(I)中、Rは、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良いアルコキシ基、置換基を有していても良いアリールオキシ基、置換基を有していても良いアルキルチオ基又は置換基を有していても良いアリールチオ基を表し、mは1〜4の整数を表す。)で表される無水ナフタル酸誘導体又は/及び下記一般式(II)【化2】(式(II)中、R及びmは、前記と同じ意義を示す。)で表されるナフタル酸誘導体と、ハロゲン化スズ及び尿素とを触媒の非存在下に反応させて、下記一般式(III)【化3】(式(III) 中、Xは、ハロゲン原子を表し、R及びmは、前記と同じ意義を示す。)のハロゲン化スズナフタロシアニン誘導体を製造するにあたり、下記一般式(IV)【化4】(式(IV)中、R1 、R2 は、置換基を有していても良い炭素数1〜8のアルキル基を示し、nは2又は3の整数を示す。)で表される、アミド系誘導体溶媒中で反応を行うことを特徴とする製造方法。
Fターム (1件)：
引用特許：
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