特許

J-GLOBAL ID：200903086955011357

半導体デバイスと、その製造装置、および製造方法

発明者： 中嶋 節男
出願人/特許権者： 積水化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-141353
公開番号（公開出願番号）：特開2005-322845
出願日： 2004年05月11日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：

【課題】 リーク電流を低減できる薄膜トランジスタ等の半導体デバイスと、その製造装置および製造方法を提供する。【解決手段】 半導体デバイスとして薄膜トランジスタ(TFT)1は、高濃度不純物を含む第1の半導体膜であるn+シリコン薄膜6と、第2の半導体膜であるシリコン薄膜5との接合を有し、シリコン薄膜5は、結晶相を含む実質的に真性な微結晶シリコン薄膜5aと、結晶相を含まない少なくとも1つの非晶質のアモルファスシリコン薄膜5bとの積層体で構成され、n+シリコン薄膜6と非晶質の膜であるアモルファスシリコン薄膜5bとが接合している。第2の半導体膜は活性層として機能する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

不純物を含む第1の半導体膜と、該第1の半導体膜と接合する第2の半導体膜とを有する半導体デバイスであって、 前記第2の半導体膜は、結晶相を含む薄膜と、結晶相を含まない少なくとも1つの非晶質の薄膜との積層体で構成され、前記第1の半導体膜と前記非晶質の薄膜とが接合していることを特徴とする半導体デバイス。

IPC (3件)：

H01L29/786 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336

FI (4件)：

H01L29/78 618E ,  H01L21/205 ,  H01L29/78 627B ,  H01L29/78 618A

Fターム (35件)：

5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AF07 ,  5F045BB08 ,  5F045CA15 ,  5F045DA52 ,  5F045DA61 ,  5F045DQ14 ,  5F045EH19 ,  5F045HA24 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110HK09 ,  5F110NN02 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ09

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-351233   出願人：カシオ計算機株式会社
• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-032518   出願人：セイコーエプソン株式会社