放熱基板及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-288257
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129792
出願日： 1995年11月07日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】所望する熱膨張係数を備え,また,軽量化ができ,さらに,秀でた熱伝導率を備えた半導体装置用の放熱基板とその製造方法とを提供すること。【解決手段】半導体素子を搭載する放熱基板は,基板部材として少なくともその基板の一方向の熱伝導率が300W/m・K以上である炭素繊維複合材の表面に,前記炭素繊維複合材に対して,2kgf/mm2 以上の密着強度を有する少なくとも下地めっき層を含む金属表面層を形成することで製造される。

請求項（抜粋）：

半導体素子を搭載する放熱基板において,炭素繊維複合材によって形成される基板部材と前記基板部材の表面に形成された金属表面層とから実質的になり,前記炭素繊維複合材は,少なくとも一方向の熱伝導率が300W/m・K以上であり,前記金属表面層は,前記炭素繊維複合材に対して2.0kgf/mm2 以上の密着強度を有する下地めっき層を含むことを特徴とする放熱基板。

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開昭55-127044
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-344272 出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (3件)

特開昭55-127044
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-344272 出願人：株式会社日立製作所
特開昭55-127044

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