特許
J-GLOBAL ID：200903086977145357
半導体放射線検出器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小林 良平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-292967
公開番号（公開出願番号）：特開2002-111039
出願日： 2000年09月26日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：
【要約】【課題】 新たな正孔供給方法を用いることにより、実用上有利な測定環境下で用いることができ、しかも高エネルギー分解能を持つp型Si半導体放射線検出器を提供する。【解決手段】 高アクセプタ濃度部(H-Si)11と低アクセプタ濃度部(L-Si)12とを接合し、高アクセプタ濃度部11に整流性電極13を、低アクセプタ濃度部12に抵抗性電極14をそれぞれ設ける。常温において高アクセプタ濃度部11に正、低アクセプタ濃度部12に負の電圧を印加することにより、正孔h+が高アクセプタ濃度部11から低アクセプタ濃度部12に供給される。この状態で1K程度に冷却すると、低アクセプタ濃度部12に供給されたh+はB-あるいはB0状態のホウ素に捕捉され、B+が形成される。放射線がフォノンを介してB+にエネルギーを与えるとB+からh+が解放され、h+は低アクセプタ濃度部12の電極14へ移動し、電流として取り出される。これにより放射線が検出される。
請求項（抜粋）：
高アクセプタ濃度部と低アクセプタ濃度部とを接合し、高アクセプタ濃度部の接合面に略平行な面に整流性電極を、低アクセプタ濃度部の接合面に略平行な面に抵抗性電極をそれぞれ設けたことを特徴とするp型Siを用いた半導体放射線検出器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (15件)：
2G088EE29
, 2G088FF03
, 2G088FF15
, 2G088GG21
, 2G088JJ09
, 2G088JJ32
, 2G088JJ37
, 2G088LL05
, 5F088AA04
, 5F088AB03
, 5F088BA01
, 5F088BB06
, 5F088DA01
, 5F088EA20
, 5F088LA07
