特許

J-GLOBAL ID：200903086981602711

単結晶の成長方法及び装置

発明者： エーリヒ・トムツィヒ ,  ヴェルナー・ツーレナー ,  ヴィルフリート・フォン・アモン ,  イュー・エム・ゲルフガット ,  エル・エー・ゴルブノフ
出願人/特許権者： ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-211421
公開番号（公開出願番号）：特開平9-118584
出願日： 1996年08月09日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：

【要約】【課題】単結晶にドーパント及び不純物を均一に分布させることができ、それにより単結晶への酸素を制御でき且つ転位形成の恐れが大きく減少させることができる、特に大きな単結晶の成長に適当な方法を提供すること。【解決手段】チョコラルスキー法により半導体材料から単結晶を成長させる方法であって、溶融物が結晶成長中磁場の影響を受け、その磁場を静磁場と交番磁場とを重畳させることにより発生させる成長方法。この成長方法には、一つのコイルが静磁場を発生し、他のコイルが交番磁場を発生する少なくとも2つのコイルをるつぼの周囲に含んでなる磁気手段を備えた装置が用いられる。

請求項（抜粋）：

溶融物に浸漬した種結晶を前記溶融物の表面から引き上げるチョコラルスキー法により半導体材料から単結晶を成長させる方法において、前記溶融物が回転自在石英ガラスるつぼに一定高さまで存在し且つ固体半導体材料と任意にドーパントとを溶融することにより製造されたものであり、そして前記溶融物が結晶成長中に磁場の影響を受ける成長方法であって、前記磁場が静磁場と交番磁場とを重畳することにより発生させたものであることを特徴とする成長方法。

IPC (3件)：

C30B 15/04 ,  C30B 30/04 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 15/04 ,  C30B 30/04 ,  H01L 21/208 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 単結晶引上装置および単結晶引き上げ方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-259293   出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
• 特開平4-331792
  
• 特開平4-342491
  
• 特開昭61-052962