半導体レーザダイオード

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-002524
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196693
出願日： 2000年01月11日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】簡単な工程で窓構造を形成することができ、かつリーク電流の少ない半導体レーザダイオードを提供する。【解決手段】活性層に対して所定の幅に電流を注入するように、一方の共振端面から他方の共振端面に至るストライプ状の開口部がエッチングにより形成されてなる電流ブロック層を備えたSAS型構造の半導体レーザダイオードであって、各共振端面近傍において、電流ブロック層を無秩序化することなく、開口部直下に位置する出射部近傍を無秩序化した。

請求項（抜粋）：

活性層に対して所定の幅に電流を注入するように、一方の共振端面から他方の共振端面に至るストライプ状の開口部がエッチングにより形成されてなる電流ブロック層を備えたSAS型構造の半導体レーザダイオードであって、上記各共振端面近傍において、上記電流ブロック層が無秩序化されずに上記開口部直下に位置する出射部近傍が無秩序化されたことを特徴とする半導体レーザダイオード。

IPC (2件)：

H01S 5/16 , H01S 5/22

FI (2件)：

H01S 5/16 , H01S 5/22

Fターム (15件)：

5F073AA13 , 5F073AA53 , 5F073AA55 , 5F073AA74 , 5F073AA87 , 5F073CA05 , 5F073CA07 , 5F073CA13 , 5F073CA17 , 5F073CB02 , 5F073CB05 , 5F073CB06 , 5F073DA05 , 5F073DA22 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-129986
特開昭63-222490
特開平1-194488

全件表示

前のページに戻る