特許
J-GLOBAL ID：200903083911451326

半導体発光素子の製造方法

発明者：
堀江 秀善

堀江 秀善 について

, 
太田 弘貴

太田 弘貴 について

, 
藤森 俊成

藤森 俊成 について


出願人/特許権者：
三菱化学株式会社

三菱化学株式会社 について


代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-224294
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233896
出願日： 1998年08月07日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザ端面での光吸収を窓構造を採用することで長期間にわたって安定に抑制し、しかも、不活性化層を誘電体又は誘電体と半導体の組合せからなるコーティング層との間に挿入することで、長期安定な端面を実現し、さらには不活性化層の拡散が起こった際にも安定に動作する半導体レーザを、簡便な方法で実現可能とする。【解決手段】 基板上に、第一導電型クラッド層、活性層及び第二導電型クラッド層を含む化合物半導体層が形成されてなり、共振器構造を有する半導体発光素子の製造方法において、基板上に化合物半導体層を順次結晶成長し、劈開により共振器端面を形成し、次いで、少なくとも1つの端面に露出した、少なくとも活性層の端面近傍の構成元素の一部を脱離させた後、真空中で不活性化層を形成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に、第一導電型クラッド層、活性層及び第二導電型クラッド層を含む化合物半導体層が形成されてなり、共振器構造を有する半導体発光素子の製造方法において、基板上に化合物半導体層を順次結晶成長し、劈開により共振器端面を形成し、次いで、少なくとも1つの端面に露出した、少なくとも活性層の端面近傍の構成元素の一部を脱離させた後、真空中で不活性化層を形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 A
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (8件)
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