特許
J-GLOBAL ID：200903087022316870

半導体レーザ装置

発明者：
田辺 哲弘

田辺 哲弘 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 山田 義人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-181791
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022262
出願日： 1998年06月29日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【構成】 上部電極28と第2上部クラッド層30との間に形成された絶縁膜34が上部電極28から光導波路18aの端部へ向かう電流を阻止するため、光導波路18aの端部には電流が付与されない。したがって、この端部すなわち電流非注入領域18bではジュール熱による温度上昇はなく、その温度上昇に伴うバンドギャップの縮小も生じない。【効果】 光導波路18aの端部におけるバンドギャップの縮小を防止でき、レーザ光の吸収に伴う発熱による瞬時光損傷(COD)を防止できる。また、発光効率の低下や製造工程の複雑化を防止できる。
請求項（抜粋）：
基板の上に下部クラッド層,光導波路を有する活性層,上部クラッド層および電極を積層し、前記電極から前記上部クラッド層を通して前記活性層へ電流を付与するようにした、半導体レーザ装置において、前記電極と前記上部クラッド層との間における前記光導波路の端部に対応する位置に前記電流の流れを阻止するための絶縁膜を形成したことを特徴とする、半導体レーザ装置。
Fターム (7件)：
5F073AA13 ,  5F073AA53 ,  5F073AA87 ,  5F073BA06 ,  5F073BA09 ,  5F073CA14 ,  5F073EA28
引用特許：
審査官引用 (11件)
  • 特開平2-065286
  • 特開昭63-124491
  • 特開平1-136392
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