特許
J-GLOBAL ID:200903087039563995

半導体装置の製造方法および樹脂封止装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-311655
公開番号(公開出願番号):特開2000-299335
出願日: 1999年02月08日
公開日(公表日): 2000年10月24日
要約:
【要約】【課題】 被成形品の片面を樹脂ばりを生じさせずに確実に樹脂封止することができ、信頼性の高い半導体装置を提供可能とする。【解決手段】 被成形品90の片面を樹脂封止した後、樹脂封止された被成形品を個片に分割して半導体装置とする半導体装置の製造方法において、上型20および下型21の樹脂成形面を含むパーティング面の少なくとも被成形品90が配置される領域を、金型および封止用の樹脂と容易に剥離するリリースフィルム40により被覆し、前記下型21に被成形品90を配置し、該被成型品90の樹脂封止する面側に封止用の樹脂94を供給した後、前記リリースフィルム40を介して前記上型20および下型21により前記被成形品90をクランプして樹脂封止する。
請求項(抜粋):
被成形品の片面を樹脂封止した後、樹脂封止された被成形品を個片に分割して半導体装置とする半導体装置の製造方法において、上型および下型の樹脂成形面を含むパーティング面の少なくとも被成形品が配置される領域を、金型および封止用の樹脂と容易に剥離するリリースフィルムにより被覆し、前記下型に被成形品を配置し、該被成型品の樹脂封止する面側に封止用の樹脂を供給した後、前記リリースフィルムを介して前記上型および下型により前記被成形品をクランプして樹脂封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (8件):
H01L 21/56 ,  B29C 33/68 ,  B29C 45/02 ,  B29C 45/14 ,  B29C 45/26 ,  B29C 45/34 ,  B29C 45/73 ,  B29L 31:34
FI (7件):
H01L 21/56 T ,  B29C 33/68 ,  B29C 45/02 ,  B29C 45/14 ,  B29C 45/26 ,  B29C 45/34 ,  B29C 45/73
Fターム (29件):
4F202AD08 ,  4F202AD19 ,  4F202AH33 ,  4F202CA12 ,  4F202CB01 ,  4F202CB12 ,  4F202CK41 ,  4F202CK85 ,  4F202CK89 ,  4F202CM72 ,  4F202CN01 ,  4F202CQ06 ,  4F206AD08 ,  4F206AD19 ,  4F206AH37 ,  4F206JA02 ,  4F206JB17 ,  4F206JF06 ,  4F206JM06 ,  4F206JN41 ,  4F206JQ81 ,  5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA21 ,  5F061CB13 ,  5F061DA01 ,  5F061DA06 ,  5F061DA08 ,  5F061DA16
引用特許:
審査官引用 (2件)

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