半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：伊丹勝 , 田村和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-006183
公開番号（公開出願番号）：特開2008-172164
出願日： 2007年01月15日
公開日（公表日）： 2008年07月24日
要約：

【課題】円柱型構造のトランジスタの特性を向上させる。【解決手段】導電層の形成された基板において前記導電層上に形成された柱状半導体と、前記柱状半導体の周囲に形成された絶縁層と、前記絶縁層の周囲に形成された一つのトランジスタのゲート電極を有しており、ゲート電極は、仕事関数の異なる少なくとも2層以上の導電膜の積層構造により構成されていることを特徴とする半導体装置を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

導電層の形成された基板において前記導電層上に形成された柱状半導体と、前記柱状半導体の周囲に形成された絶縁層と、前記絶縁層の周囲に形成された一つのトランジスタのゲート電極と、を有しており、前記ゲート電極は、仕事関数の異なる少なくとも2層以上の導電膜の積層構造により構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 29/78 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 27/092 , H01L 27/04

FI (9件)：

H01L29/78 301X , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L27/08 102E , H01L27/08 321G , H01L29/78 653B , H01L29/78 656A , H01L29/78 652K , H01L29/78 301G

Fターム (78件)：

5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AC01 , 5F048BA01 , 5F048BB02 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB14 , 5F048BB18 , 5F048BC06 , 5F048BD01 , 5F048BD07 , 5F048CB06 , 5F048CB07 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA28 , 5F048DA30 , 5F083EP02 , 5F083EP03 , 5F083EP18 , 5F083EP22 , 5F083EP33 , 5F083EP34 , 5F083EP48 , 5F083EP76 , 5F083ER02 , 5F083ER11 , 5F083ER22 , 5F083GA10 , 5F083JA04 , 5F101BA02 , 5F101BA45 , 5F101BB02 , 5F101BD16 , 5F101BD22 , 5F101BD30 , 5F101BD34 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F140AA01 , 5F140AA24 , 5F140AB01 , 5F140AC23 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BA12 , 5F140BB04 , 5F140BE07 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF14 , 5F140BF21 , 5F140BF24 , 5F140BF35 , 5F140BF37 , 5F140BF40 , 5F140BF46 , 5F140BF59 , 5F140BF60 , 5F140BG08 , 5F140BG09 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG15 , 5F140BG31 , 5F140BH13 , 5F140BH43 , 5F140BH49 , 5F140BJ04 , 5F140BJ10 , 5F140BJ11 , 5F140BJ17 , 5F140BK13 , 5F140BK15 , 5F140CA02 , 5F140CA03

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体記憶装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-264928 出願人：舛岡富士雄, シャープ株式会社

前のページに戻る