特許
J-GLOBAL ID:200903087066360931

タングステン超微粉及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 正緒
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-035576
公開番号(公開出願番号):特開2007-211333
出願日: 2006年02月13日
公開日(公表日): 2007年08月23日
要約:
【課題】 焼結材料もしくは電子部品電極材料等に好適な、平均粒径100nm以下で高純度のタングステン超微粉、及びその工業的な低コストでの製造方法を提供する。【解決手段】 不活性ガスと水素ガスを含む還元性雰囲気中において、WO3のようなタングステン化合物を熱プラズマにより気化させ、得られたタングステン蒸気を凝縮させて微粉化させることにより、平均粒径が100nm以下であり、粒径の幾何標準偏差が1.35以下であるタングステン超微粉を製造する。得られたタングステン超微粉は、酸素を含む不活性ガス雰囲気中で徐酸化処理することにより、表面にタングステン酸化物の薄膜を形成することが好ましい。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
不活性ガスと水素ガスを含む還元性雰囲気中において、タングステン化合物を熱プラズマにより気化させ、得られたタングステン蒸気を凝縮させて微粉化させることを特徴とするタングステン超微粉の製造方法。
IPC (2件):
B22F 9/28 ,  B22F 1/02
FI (2件):
B22F9/28 Z ,  B22F1/02 F
Fターム (14件):
4K017AA03 ,  4K017BA04 ,  4K017CA08 ,  4K017DA01 ,  4K017EF05 ,  4K017EK03 ,  4K017FB05 ,  4K018AA19 ,  4K018BA09 ,  4K018BB05 ,  4K018BC28 ,  4K018BC33 ,  4K018BD10 ,  4K018KA37
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
  • 特開平2-006339
  • 特表平7-501040
  • 特開平1-115810
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