特許
J-GLOBAL ID:200903087085119129

アクティブマトリックス基板とその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-241733
公開番号(公開出願番号):特開平6-194689
出願日: 1993年09月28日
公開日(公表日): 1994年07月15日
要約:
【要約】【目的】 良好な特性を有するアクティブマトリックス基板とその簡便な製造方法を提供する事。【構成】 金属に依るソース線が最下層に有る。【効果】 簡単な製造工程で欠陥の少ない優良なアクティブマトリックス基板を製造出来る。
請求項(抜粋):
少なくとも絶縁層上に形成された薄膜トランジスタを画素用スイッチング素子としているアクティブマトリックス基板に於いて、該絶縁層上に金属材料に依るデータ線と同一金属材料に依る画素電極取り出しパッドと、画素用薄膜トランジスタの半導体層の一部とが形成されており、該データ線の一部と該画素電極取り出しパッドの一部を画素用薄膜トランジスタのソース領域の一部及びドレイン領域の一部がそれぞれ被覆しており、画素電極と該画素電極取り出しパッドとが電気的に導通が取れている事を特徴とするアクティブマトリックス基板。
IPC (3件):
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/784
引用特許:
審査官引用 (11件)
全件表示

前のページに戻る