特許

J-GLOBAL ID：200903087087166493

窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 徳寺 重和 ,  山路 太平
出願人/特許権者： 星和電機株式会社
代理人 (1件)： 大西 孝治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-270126
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124518
出願日： 2000年01月24日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【目的】 機械的強度に優れ、高温高湿度環境下でも劣化しにくく、光の外部への取り出し効率の高い窒化ガリウム系半導体発光素子とする。【構成】 P型GaN半導体層の上に電流拡散層として一層目がゾルゲル法によって形成された下側透明電極膜として形成された下側ITO膜810と、この下側ITO膜810の上にスパッタリング法で形成された上側透明電極膜としての上側ITO膜820とを有する。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム系半導体発光素子において、P型GaN半導体層の上に電流拡散層として一層目がゾルゲル法によって形成された下側透明電極膜として形成された下側ITO膜と、この下側ITO膜の上にスパッタリング法で形成された上側透明電極膜としての上側ITO膜とを有することを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C

Fターム (13件)：

5F041AA03 ,  5F041AA44 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平2-162721
  
• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-279967   出願人：日亜化学工業株式会社
• 特許第3394488号