横型高耐圧トレンチMOSFETおよびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-226882
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097411
出願日： 1994年09月21日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】横型トレンチMOSFETの耐圧・オン抵抗のトレードオフ特性を向上させる。【構成】横型MOSFETのnドレインドリフト領域4内に表面からトレンチ3を設けることによって、ドレインドリフト長を確保し、高耐圧化が図れる。また、nドレインドリフト領域4のnソース領域9側の端で、オン時に電流経路が狭まらないため、オン抵抗が小さくできる。更にドレインドリフト長を保ったまま、nドレインドリフト領域4を短縮できるため、同じ耐圧クラスの横型DMOSFETに比べ、チップサイズを小さくでき、高集積化できる。トレンチ3内に絶縁膜5或いは半絶縁膜を充填すれば、より高耐圧化が可能である。ゲート電極7をトレンチ3の上まで伸長することも高耐圧化に有効である。

請求項（抜粋）：

第一導電型半導体層の表面層の一部に互いに離れて形成された第二導電型ソース領域、第二導電型ドレインドリフト領域と、その第二導電型ドレインドリフト領域の表面層に表面から形成したトレンチと、そのトレンチの第二導電型ソース領域と反対側の第一導電型半導体層の表面層に第二導電型ドレインドリフト領域と一部重複して形成された第二導電型ドレイン領域と、第一導電型半導体層の表面露出部の表面上にゲート酸化膜を介して設けられたゲート電極と、第二導電型ソース領域の表面上および第二導電型ドレイン領域の表面上にそれぞれ設けられたソース電極、ドレイン電極を有する横型高耐圧トレンチMOSFET。

引用特許：

審査官引用 (5件)

MIS電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-177334 出願人：白土猛英
特開昭61-260676
特開昭64-051662

全件表示

前のページに戻る