特許

J-GLOBAL ID：200903087098078421

多結晶シリコン製造装置及び製造方法

発明者： 遠藤 俊秀 ,  手計 昌之 ,  石井 敏由記 ,  坂口 昌晃 ,  畠山 直紀
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-292536
公開番号（公開出願番号）：特開2009-149495
出願日： 2008年11月14日
公開日（公表日）： 2009年07月09日
要約：

【課題】高品質の多結晶シリコンを効率よく生産する。【解決手段】複数のシリコン芯棒4が立設される反応炉1の内底部に、該反応炉1内に原料ガスを上方に向けて噴出する複数のガス供給口6aと、反応後の排ガスを排出するガス排出口7とが配設され、シリコン芯棒4を加熱し、その表面に原料ガスによって多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコン製造装置において、ガス供給口6aには、各ガス供給口6aに原料ガスを供給するガス分配管9がそれぞれ接続されるとともに、少なくとも反応炉1の中心部付近のガス供給口6aに接続されているガス分配管9に、その管路を開閉する弁21が設けられ、該弁21に、反応炉1の運転初期に管路を所定時間閉じた状態とする弁制御手段22が接続されている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

複数のシリコン芯棒が立設される反応炉の内底部に、該反応炉内に原料ガスを上方に向けて噴出する複数のガス供給口と、反応後の排ガスを排出するガス排出口とが配設され、前記シリコン芯棒を加熱し、その表面に前記原料ガスによって多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコン製造装置において、 前記ガス供給口には、各ガス供給口に原料ガスを供給するガス分配管がそれぞれ接続されるとともに、少なくとも反応炉の中心部付近のガス供給口に接続されているガス分配管に、その管路を開閉する弁が設けられ、該弁に、反応炉の運転初期に管路を所定時間閉じた状態とする弁制御手段が接続されていることを特徴とする多結晶シリコン製造装置。

IPC (1件)：

C01B 33/035

FI (1件)：

C01B33/035

Fターム (7件)：

4G072AA01 ,  4G072BB12 ,  4G072GG03 ,  4G072GG04 ,  4G072HH07 ,  4G072JJ01 ,  4G072NN17

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特許2867306号公報
  
• 特許3345929号公報
  

審査官引用 (2件)

• 半導体級多結晶シリコン製造用反応炉
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-352214   出願人：高純度シリコン株式会社
• 特許第2867306号