特許

J-GLOBAL ID：200903087103022960

耐熱低誘電率材料並びにこれを用いた半導体層間絶縁膜及び半導体装置

発明者： 角田 誠 ,  信時 英治 ,  三上 登
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-153600
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340689
出願日： 1999年06月01日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 耐熱性に優れ、誘電率が低く、半導体素子、電気回路部品などに適用可能な低誘電率材料、この低誘電率材料を用いた半導体層間絶縁膜及び半導体装置を提供することである。【解決手段】 無機または有機材料の分子中に、下記式(1)などで示されるボラジン骨格系分子を有する耐熱低誘電率材料である。【化1】

請求項（抜粋）：

無機または有機材料の分子中に、式(1)、式(2)または式(3)で示される何れかのボラジン骨格系分子を有することを特徴とする耐熱低誘電率材料。【化1】【化2】【化3】

IPC (3件)：

H01L 23/08 ,  C08G 79/08 ,  C08J 5/18 CFJ

FI (3件)：

H01L 23/08 ,  C08G 79/08 ,  C08J 5/18 CFJ

Fターム (12件)：

4F071AA01 ,  4F071AF14 ,  4F071AF40 ,  4F071AF44 ,  4F071AF45 ,  4F071AH12 ,  4F071BA02 ,  4F071BB02 ,  4F071BC01 ,  4J030CC07 ,  4J030CD11 ,  4J030CG03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 流動性スピンオン絶縁体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-001357   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 窒化硼素質セラミックスとその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-352318   出願人：東燃株式会社